Институт Физики им.Л.В.Киренского
Победитель конкурса сайтов СО РАН - 2010
Яndex

www.yandex.ru
  Главная
  Офис
  Новости
  Службы
  Семинары
  Достижения
  Научные отчеты
  Лаборатории
  Направления
  Интеграция
  Разработки
  Ученый совет
  Советы по защитам
  Аспирантура
  Конференции
  Конкурсы, Гранты
  Публикации
  Препринты
  Издательство
  Библиотека
  Совет молодых учёных
  Студентам
  Виртлаб
  История
  Фоторепортажи
  Персоналии
  О  Киренском
  Ученики и соратники
  Мемориальный музей
  Бухг-рия, план. отдел
  Download
  Карта  сервера

Отработана технология получения тонких пленок и многослойных структур полупроводниковых и магнитных материалов на основе Fe/Si в сверхвысоком вакууме на основе установки МЛЭ "Ангара".

Рис.1. Зависимость величины межслоевого взаимодействия от толщины ферромагнитного слоя в пленках Fe/Si/Fe. 1 - T = 200 K, 2 - T = 3K.

Отработана технология получения тонких пленок и многослойных структур полупроводниковых и магнитных материалов на основе Fe/Si в сверхвысоком вакууме на основе установки МЛЭ "Ангара". Полученные структуры исследовались такими методами как: электронная спектроскопия; лазерная эллипсометрия; ферромагнитный резонанс.

С целью определения структурных характеристик образцы исследованы методом малоуглового рентгеновского рассеяния. В результате процедуры подгонки модельной кривой, рассчитанной для шестислойной структуры с нарушенными границами, к экспериментальному рентгеновскому профилю получена информация о толщине каждого индивидуального слоя и шероховатости границ раздела.

В системе Fe/Si методом магнитного резонанса исследованы магнитные свойства трехслойных пленок в зависимости от толщины ферромагнитного слоя (tFe = 0 - 10 нм). Толщина прослойки кремния соответствовала максимальному антиферромагнитному межслоевому взаимодействию в ранее проведенных экспериментах (tSi = 2 нм). Впервые обнаружено, что, при данной толщине немагнитной прослойки, межслоевое взаимодействие существенно зависит от толщины ферромагнитного слоя.

Величина взаимодействия сначала растет, достигая максимума при tFe =5 нм, а затем уменьшается практически до нуля при tFe =10 нм. Полученные результаты объясняются в предположении о конкуренции вкладов от объемной доли магнитного слоя и интерфейса. Эти результаты представляются важными в плане конструирования структур, обладающих эффектом гигантского магнитосопротивления.

  1. Варнаков С.Н., Лепешев А.А., Овчинников С.Г., Паршин А.С., Коршунов М.М., Nevoral P., Автоматизация технологического оборудования для получения многослойных структур в сверхвысоком вакууме, Приборы и техника эксперимента -2004.-в.6, с.125-129
  2. Патрин Г.С., Волков Н.В., Овчинников С.Г., Еремин Е.В., Панова М.А., Варнаков С.Н., Влияние толщины ферромагнитного слоя на межслоевое взаимодействие в пленках Fe/Si/Fe, Письма в ЖЭТФ -2004.-т.80, в.7, c.560-562

Лаборатория физики магнитных явлений


© И н с т и т у т Ф и з и к и
им. Л. В. Киренского СО РАН 1998—2012 Для вопросов и предложений

Российская академия наук СО РАН TopList