Институт Физики им.Л.В.Киренского
Победитель конкурса сайтов СО РАН - 2010
Яndex

www.yandex.ru
  Главная
  Офис
  Новости
  Службы
  Семинары
  Достижения
  Научные отчеты
  Лаборатории
  Направления
  Интеграция
  Разработки
  Ученый совет
  Советы по защитам
  Аспирантура
  Конференции
  Конкурсы, Гранты
  Публикации
  Препринты
  Издательство
  Библиотека
  Совет молодых учёных
  Студентам
  Виртлаб
  История
  Фоторепортажи
  Персоналии
  О  Киренском
  Ученики и соратники
  Мемориальный музей
  Бухг-рия, план. отдел
  Download
  Карта  сервера

Установка импульсно-плазменного распыления с лазерным поджигом

Назначение и технические характеристики

Установка импульсно-плазменного распыления с лазерным поджигом

Принцип работыу становки заключается в создании тлеющего разряда между водоохлаждаемым анодом и мишенью за счет энергии конденсаторной батареи необходимой емкости. В качестве рабочей средыиспо льзуется небольшое количество паров, создаваемое предварительным испарением мишени с помощью лазера ЛТИ-207. Бомбардировка отрицательно заряженной мишени ионами плазмыв о время ее жизни приводит к распылению мишени.

Установка выполнена на базе сверхвысоковакуумного поста УСУ-4; необходимые условия работы обеспечиваются оптической системой и нагревателем подложки. Разряд осуществляется в скрещенных магнитном и электрическом полях.

Метод позволяет осуществить:

  • скорость конденсации (>10 нм/с) в импульсе длительностью ~10 с;
  • отвод тепла от конденсата со скоростью охлаждения ~10 К/с;
  • процесс ионно-плазменного распыления без рабочего газа;
  • сплошность конденсата наступает с h = 2 нм на начальной стадии роста (ряды 1 и 2 на зависимости ρ(h )).

© И н с т и т у т Ф и з и к и
им. Л. В. Киренского СО РАН 1998—2012 Для вопросов и предложений

Российская академия наук СО РАН TopList