Институт Физики им.Л.В.Киренского
Победитель конкурса сайтов СО РАН - 2010
Яndex

www.yandex.ru
  Главная
  Офис
  Новости
  Службы
  Семинары
  Достижения
  Научные отчеты
  Лаборатории
  Направления
  Интеграция
  Разработки
  Ученый совет
  Советы по защитам
  Аспирантура
  Конференции
  Конкурсы, Гранты
  Публикации
  Препринты
  Издательство
  Библиотека
  Совет молодых учёных
  Студентам
  Виртлаб
  История
  Фоторепортажи
  Персоналии
  О  Киренском
  Ученики и соратники
  Мемориальный музей
  Бухг-рия, план. отдел
  Download
  Карта  сервера

Технологические установки для синтеза магнитоупорядоченных кристаллов

В лаборатории РСМУВ созданы технологические установки, позволяющие при высоких температурах (1000—1300о С) синтезировать оксидные кристаллы, сульфидные соединения (MexMn1-xS, где Me — Fe, Cr, Co) и вести поисковые работы по синтезу новых веществ.

Технологические установки

Назначение и технические характеристики

Установки предназначеныдля выращивания магнитоупорядоченных монокристаллов раствор-расплавным методом и синтеза поликристаллов методом твердофазных реакций. Установки состоят из печей с карбид-кремниевыми электронагревателями, температура в печах измеряется платино-платинородиевыми теромопарами. Технологические режимы синтеза кристаллов управляются программными регуляторами температуры. Точность измерения и регулировки температурыс оставляет 0,1°С, максимальные значения температуры 1300°С.

За годы эксплуатации установок на них выращены монокристаллы оксокупратов (Bi2CuO4, CuGeO3, CuBe2O4, Cu5Bi2B4O14, Cu3B26), орторомбических соединений Pb2Fe2Ge2O9 и PbFeBO4, ряд монокристаллов манганитов на основе LaMnO3 с различными замещениями, монокристаллы Li8FeSm22)38; методом твердофазных реакций синтезированы поликристаллические пироксены NaFeGe2O6 и LiFeGe2O6, цирконолиты RFeA2O7 (R = Gd, Sm; A =Ge, Ti), сульфидына основе MnS и другие моно- и поликристаллические соединения.

Лаборатория резонансных свойств
магнитоупорядоченных веществ


© И н с т и т у т Ф и з и к и
им. Л. В. Киренского СО РАН 1998—2012 Для вопросов и предложений

Российская академия наук СО РАН TopList