Назначение и технические характеристики

Набор высокотемпературных печей со специально разработанными источниками питания на основе ШИМ преобразователей суммарной мощностью до 4 кВт. Управление температурным режимом печей осуществляется с помощью персонального компьютера, с возможностью полностью задавать программу роста кристаллов методом из раствора в расплаве. Печи снабжены устройствами для перемешивания раствора-расплава и роста на затравку. Максимальная возможная температура 1350 С; точность стабилизации температуры 0.1 С; скорость развертки температуры от 0.1 до 50 С/час.

С использованием этого оборудования разработаны раствор-расплавные технологии выращивания высококачественных монокристаллов различных классов для микроволновой техники и магнитооптики, новые материалы для научных исследований. Среди результатов последнего времени – технология выращивания тригональных монокристаллов замещенных редкоземельных ферро- и алюмоборатов R⁽¹⁾_1-x, R⁽²⁾_xFe₃(BO₃)₄, R⁽¹⁾_1-x, R⁽²⁾_xAl₃(BO₃)₄ относящихся к классу мультиферроиков.